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高分辨透射電鏡TEM(JEM-2100F)測試服務(wù)
發(fā)布日期:2020-06-01
瀏覽次數(shù):13019

JEM-2100F場發(fā)射透射電鏡使用電子穿透樣品成像,實(shí)際上入射電子在穿越樣品時(shí)會(huì)與樣品發(fā)生復(fù)雜的相互作用,如果使用全部的透射電子成像,必然在細(xì)節(jié)上出現(xiàn)假象、失真甚至某些信息被掩蓋,利用透射電鏡明場、暗場、電子衍射和高分辨成像技術(shù)分析各種無機(jī)、有機(jī)及復(fù)合材料的精細(xì)結(jié)構(gòu),同時(shí)配有STEM和能譜附件分析樣品的成分及分布情況,通過CCD數(shù)字成像系統(tǒng)記錄樣品的各種信息。

JEM-2100F場發(fā)射透射電鏡

高分辨透射電鏡TEM(JEM-2100F)應(yīng)用

材料科學(xué):

1.形貌觀察(磁性、非磁性、生物樣品均可):通過TEM明場像(BF)和暗場像(DF)進(jìn)行形貌觀察。對納米顆粒、納米線碳納米管等納米材料形狀尺寸形貌表征。對薄膜材料及TEM晶體樣品對其(晶粒形貌、界面、析出相分布、缺陷分布、孿晶形貌等進(jìn)行表征。

2.電子衍射晶體結(jié)構(gòu)分析(選區(qū)電子衍射(環(huán)衍射、點(diǎn)衍射)):通過選區(qū)電子衍射(SAED)可以得到材料微區(qū)晶體結(jié)構(gòu)信息,對晶體材料結(jié)構(gòu)、表面結(jié)構(gòu)、晶體取向、析出相位向、相界面分析。電子能量損失譜(eels)和EDS可對材料進(jìn)行成分分析。

未標(biāo)題-1.png

選區(qū)電子衍射圖

3.HRTEM高分辨像(磁性、非磁樣品、生物樣均可)可以看到晶體的晶格像,可以對晶體缺陷:晶粒內(nèi)第二相結(jié)構(gòu),界面表面進(jìn)行表征,100nm。

樣品要求

1.塊體樣品,裁成大小為直徑3mm的圓片,用砂紙打磨厚度到100微米以下,進(jìn)行點(diǎn)擊雙噴或離子鍵薄,使觀察表征區(qū)域厚度為200nm以下;

2.粉末和液體樣品,要求樣品能夠均勻分散在支持膜上并且干燥,粉末樣>0.01g,液體樣>5ml;

3.超薄切片后的樣品及薄膜樣品需放置在TEM載網(wǎng)或支持膜。

生命科學(xué):

1.動(dòng)物和植物組織的超微結(jié)構(gòu)觀察

2.微生物觀察(細(xì)菌、病毒)

3.組織內(nèi)的元素分布分析

實(shí)驗(yàn)結(jié)果交付:提供實(shí)驗(yàn)操作步驟、設(shè)備、原始透射電鏡圖片等,倍數(shù)依據(jù)實(shí)際情況選擇合適放大倍數(shù),還可根據(jù)客戶需求進(jìn)行調(diào)整

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